4007787550
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| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫存 |
| JD200601105341 | Ta2NiS5 晶體 | 大于25平方毫米 | -- | 2720元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200601105253 | Ta2NiS5 晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 1900元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | TaNiS5 晶體 晶體大小： 3~10 mm 晶體種類： Magnetic semiconductor 純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶體生長方式： CVT 化學(xué)氣相傳輸法 更多信息： 請咨詢：sales@6carbon.com |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 參考文獻(xiàn) 1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614. 2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61. 3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113. 4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters 44.2 (2019): 451-454. |
