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CVD 二硒化鉬：MoSe2
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
JD200529114728 二硒化鉬：MoSe2 玻璃 -- 4320元 咨詢(xún)客服 3天
JD200529114624 二硒化鉬：MoSe2 連續(xù)薄膜 -- 2720元 咨詢(xún)客服 3天
物流提示：偏遠(yuǎn)地區(qū)如新疆西藏寧夏甘肅等地可能無(wú)法運(yùn)送液體，下單前請(qǐng)聯(lián)系客服。
性狀： 基底種類(lèi)：
SiO2/Si(300nm氧化層）
SiO2/Si(其他厚度）
藍(lán)寶石（單面拋光）
藍(lán)寶石（雙面拋光）
光學(xué)石英
柔性PET
硅片
高阻本征硅（>10000ohm.cm）太赫茲專(zhuān)用
SOI
PDMS
云母
SrTiO3鈦酸鍶
玻璃
ITO
金膜
銀膜
銅膜
GaAs砷化鎵
TEM銅網(wǎng)
MoSe2形貌：
孤立晶粒
連續(xù)薄膜
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 制造方法：
化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
MoSe2薄膜分為多種：
1） 單層離散分布的孤立晶粒，邊長(zhǎng)一般是幾十微米。
2） 由孤立晶粒繼續(xù)長(zhǎng)大連在一起的單層連續(xù)薄膜，上面有多層區(qū)域。
3） 基底：MoSe2可選基底較多，其中SiO2/Si基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如：硅片，PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過(guò)在SiO2/Si上生長(zhǎng)后轉(zhuǎn)移至客戶(hù)所需基底。

應(yīng)用領(lǐng)域：
光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。

包裝及規(guī)格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶(hù)指定的定制尺寸。
凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。