|
![]() |
貨號(hào) | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫(kù)存 |
JD200529112525 | ZrTe3 拓?fù)浣^緣體 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
JD200529112507 | ZrTe3 拓?fù)浣^緣體 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
性狀: | 材料名稱 Name ZrTe3 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓?fù)浣^緣體,紅外材料 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure
Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn): | 參考文獻(xiàn): 1, Felser, C., et al. "Electronic properties of ZrTe3." Journal of Materials Chemistry 8.8 (1998): 1787-1798. 2, Hoesch, Moritz, et al. "Disorder Quenching of the Charge Density Wave in ZrTe 3." Physical review letters 122.1 (2019): 017601. 3,Geremew, A., et al. "Current carrying capacity of quasi-1D ZrTe 3 van der Waals nanoribbons." IEEE Electron Device Letters 39.5 (2018): 735-738. |