4007787550
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| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
| JD200529112525 | ZrTe3 拓撲絕緣體 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200529112507 | ZrTe3 拓撲絕緣體 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | 材料名稱 Name ZrTe3 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，紅外材料 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure
Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 質(zhì)量標準： | 參考文獻： 1， Felser, C., et al. "Electronic properties of ZrTe3." Journal of Materials Chemistry 8.8 (1998): 1787-1798. 2， Hoesch, Moritz, et al. "Disorder Quenching of the Charge Density Wave in ZrTe 3." Physical review letters 122.1 (2019): 017601. 3，Geremew, A., et al. "Current carrying capacity of quasi-1D ZrTe 3 van der Waals nanoribbons." IEEE Electron Device Letters 39.5 (2018): 735-738. |
