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貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
JD200529111952 | Zr5Te4晶體 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
JD200529111952 | Zr5Te4晶體 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
性狀: | 材料名稱 Name
性質(zhì)分類 Electrical properties 拓撲絕緣體 Topological Insulators Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Medium |
質(zhì)量標準: | 參考文獻
2,?rlygsson, Gissur, and Bernd Harbrecht. "Clustering of Zirconium Atoms in Zr5Te6: A Novel NiAs‐Type‐Related Telluride with Ordered Vacancies." Chemistry–A European Journal 6.22 (2000): 4170-4176. |