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TaNi2Te3晶體
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Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫存
JD200529105706 TaNi2Te3晶體 大于25毫克 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200529105645 TaNi2Te3晶體 大于10毫克 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


TaNi2Te3

性質(zhì)分類

Electrical   properties


金屬性，超導(dǎo)材料，拓?fù)洳牧?/P>

禁帶寬度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice 晶體穩(wěn)定
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

Huang, Jinling. "Structure of Nb/Ta layered ternary tellurides containing first row transition metal atoms." Science in China Series B: Chemistry 43.4 (2000): 337-347.