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SnBi4Te7晶體
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JD200529095650 SnBi4Te7晶體 大于25毫克 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200529095423 SnBi4Te7晶體 大于10毫克 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀: 材料名稱

Name


SnBi4Te7

性質分類

Electrical   properties

拓撲絕緣體,紅外材料

Topological Insulators

禁帶寬度

Bangap

0.632 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

Medium

質量標準: 參考文獻

1,Vergniory, M. G., et al. "Bulk and surface electronic structure of SnBi4Te7 topological insulator." Applied surface science 267 (2013): 146-149.

2, Caillat, T., et al. "Synthesis and thermoelectric properties of some materials with PbBi4Te7 crystal structure." Proc. XIX Int. Conf. on Thermoelectrics. 2000.

3,Zhitinskaya, M. K., et al. "Transport phenomena in the anisotropic layered compounds MeBi 4 Te 7 (Me= Ge, Pb, Sn)." Semiconductors 46.10 (2012): 1256-1262.