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SnBi2Te4晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
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性狀： 材料名稱

Name


SnBi2Te4

性質(zhì)分類(lèi)

Electrical   properties

拓?fù)浣^緣體，熱電材料，紅外材料

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

0.429 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

1，Vilaplana, R., et al. "Structural and electrical study of the topological insulator SnBi2Te4 at high pressure." Journal of Alloys and Compounds 685 (2016): 962-970.

2，Pan, Lin, et al. "Transport properties of the SnBi2Te4–PbBi2Te4 solid solution." Journal of Solid State Chemistry 225 (2015): 168-173.

3，Kuropatwa, Bryan A., Abdeljalil Assoud, and Holger Kleinke. "Effects of cation site substitutions on the thermoelectric performance of layered SnBi2Te4 utilizing the triel elements Ga, In, and Tl." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 639.14 (2013): 2411-2420.