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SbTe晶體
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Cas號： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200529094531 Te晶體 大于25毫克 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200529094531 Te晶體 大于10毫克 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀：
材料名稱

Name

SbTe

性質(zhì)分類

Electrical   properties

拓撲絕緣體，熱電材料，相變材料

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

~0.043 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

易

Easy
質(zhì)量標準： 參考文獻

1，Raoux, Simone, et al. "Effect of Al and Cu doping on the crystallization properties of the phase change materials SbTe and GeSb." Journal of applied physics 101.4 (2007): 044909.

2，Horie, Michikazu, et al. "Material characterization and application of eutectic SbTe-based phase-change optical recording media." Optical Data Storage 2001. Vol. 4342. International Society for Optics and Photonics, 2002.

3，Oomachi, Noritake, et al. "Recording characteristics of Ge doped eutectic SbTe phase change discs with various compositions and its potential for high density recording." Japanese journal of applied physics 41.3S (2002): 1695.