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PbSb2Te4晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫存
JD200529092610 PbSb2Te4晶體 大于25毫克 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200529092524 PbSb2Te4晶體 大于10毫克 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

PbSb2Te4

性質(zhì)分類

Electrical   properties

拓?fù)浣^緣體，紅外材料，熱電材料

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

0.279 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

1，Menshchikova, Tatiana V., Sergey V. Eremeev, and Evgueni V. Chulkov. "Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators." Applied surface science 267 (2013): 1-3.

2，

Shelimova, L. E., et al. "Thermoelectric Properties of Layered Anisotropic p-type PbSb2Te4 Compound and Peculiarities of its Energy Spectrum." 5th European Conference on Thermoelectrics, Odessa (Ukraine). 2007.