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PbBi4Te7晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200529091820 PbBi4Te7晶體 大于25毫克 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200529091804 PbBi4Te7晶體 大于10毫克 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


PbBi4Te7

性質(zhì)分類

Electrical   properties


紅外半導(dǎo)體，拓撲絕緣體， 熱電材料

IR Semiconductor， TI
禁帶寬度

Bangap

0.4 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度
Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項

Notice
晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻

1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Electrical transport properties of SnBi4Te7 and PbBi4Te7 with different deviations from stoichiometry." Journal of Physics D: Applied Physics 34.5 (2001): 700.

2，Shelimova, L. E., et al. "Anisotropic thermoelectric properties of the layered compounds PbSb 2 Te 4 and PbBi 4 Te 7." Inorganic Materials 43.2 (2007): 125-131.