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Nb3GeTe6晶體
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Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
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JD200528111550 Nb3GeTe6晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528111519 Nb3GeTe6晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


Nb3GeTe6

性質(zhì)分類

Electrical   properties


金屬性
禁帶寬度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice
穩(wěn)定，不需要特殊條件保存
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

Monconduit, L., et al. "Short Te… ? Te bonding contacts in a new layered ternary telluride: Synthesis and crystal structure of 2D Nb3GexTe6 (x? 0.9)." Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 616.10 (1992): 177-182.

Canadell, E., et al. "Importance of the interlayer Te... Te contacts on the electronic structure of the layered niobium germanium telluride Nb3Ge0. 9Te6." Inorganic Chemistry 32.1 (1993): 10-12.