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Nb2SiTe4晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
JD200528111229 Nb2SiTe4晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528111158 Nb2SiTe4晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

Nb2SiTe4

性質(zhì)分類

Electrical   properties


半導(dǎo)體,紅外材料，ferroelastic semiconductors
禁帶寬度

Bangap

0.2 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice
晶體穩(wěn)定性較好，但需要避開(kāi)水氧保存
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

1，Zhao, Mingxing, et al. "Nb2SiTe4: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response." ACS nano 13.9 (2019): 10705-10710.

2，Zhang, Ting, et al. "Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties." The Journal of Physical Chemistry Letters (2019).

3，F(xiàn)ang, Wen-Yu, et al. "Nb 2 SiTe 4 and Nb 2 GeTe 4: Unexplored 2D Ternary Layered Tellurides with High Stability, Narrow Band Gap and High Electron Mobility." Journal of Electronic Materials 49.2 (2020): 959-968.