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InSiTe3晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
JD200528104714 InSiTe3晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528104616 InSiTe3晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

InSiTe3

性質(zhì)分類

Electrical   properties

半導(dǎo)體，熱電材料

禁帶寬度

Bangap

0.8 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice 晶體穩(wěn)定性一般，需要避開(kāi)水氧保存
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

Debbichi, Lamjed, et al. "First-principles investigation of two-dimensional trichalcogenide and sesquichalcogenide monolayers." Physical Review B 93.24 (2016): 245307.

Lefèvre, Robin, et al. "Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In 2 Ge 2 Te 6 and thermoelectric properties of related compounds." Journal of Materials Chemistry A 5.36 (2017): 19406-19415.