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InBi晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
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JD200528103950 InBi晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

InBi

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓?fù)浣^緣體

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

中

Medium
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

Degtyareva, V. F., M. Winzenick, and W. B. Holzapfel. "Crystal structure of InBi under pressure up to 75 GPa." Physical Review B 57.9 (1998): 4975.

Akg?z, Y. C., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "The elastic behaviour of InBi single crystals." Journal of Physics and Chemistry of Solids 34.2 (1973): 141-149.

Bhatt, V. P., and C. F. Desai. "Temperature dependence of vickers microhardness and creep of InBi single crystals." Bulletin of Materials Science 4.1 (1982): 23-28.