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In3SbTe2晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528103657 In3SbTe2晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528103508 In3SbTe2晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

In3SbTe2

性質(zhì)分類

Electrical   properties


相變材料，金屬性層狀材料


禁帶寬度

Bangap

0 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項
Notice
晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)：

Los, Jan H., et al. "First-principles study of the amorphous In 3 SbTe 2 phase change compound." Physical Review B 88.17 (2013): 174203.

Naruse, Atsuko, et al. "Crystallizing mechanism and recording properties of In3SbTe2 phase-change optical disks." Japanese journal of applied physics 34.1R (1995): 156.