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In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相
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JD200528103155 In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相 大于25平方毫米 -- 2720元 咨詢客服 3天
JD200528103131 In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相 大于10平方毫米 -- 1900元 咨詢客服 3天
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性狀： 晶體大?。?5~10 mm
晶體種類： Semiconductor，紅外材料　0.99eV
純度： >99.999 %
表征方法： EDS，SEM，Raman
晶體生長方式：
CVT 化學(xué)氣相傳輸法
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)：

1，Shi, Huanhuan, et al. "Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3 Flakes for Large‐Area Optoelectronics." Advanced Materials (2020): 1907244.

2，Wan, Siyuan, et al. "Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3." Advanced Functional Materials 29.20 (2019): 1808606.

3， Zhang, Fan, et al. "Atomic-scale observation of reversible thermally driven phase transformation in 2D In2Se3." ACS nano 13.7 (2019): 8004-8011.