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In2P3S9晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
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性狀： 材料名稱

Name

In2P3S9

性質(zhì)分類

Electrical   properties


半導(dǎo)體

Semiconductor
禁帶寬度

Bangap

1.4 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice
晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

Parthé, E., and B. Chabot. "Classification of structures with anionic tetrahedron complexes using valence-electron criteria." Acta Crystallographica Section B: Structural Science 46.1 (1990): 7-23.