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In2GaBi2S6晶體
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JD200528102658 In2GaBi2S6晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528102541 In2GaBi2S6晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀: 材料名稱

Name


In2GaBi2S6

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓?fù)洳牧希雽?dǎo)體

禁帶寬度

Bangap

1.8 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice
晶體穩(wěn)定,不需要特殊保存

Stable