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貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
JD200528102400 | HgPSe3晶體 | 大于25平方毫米 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
JD200528102335 | HgPSe3晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
性狀: | 材料名稱 Name HgPSe3 性質(zhì)分類 Electrical properties
Topological Insulators Bangap 1.209 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 中 Medium 1,Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311. 2,Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151. |