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HgPSe3晶體
別名： --
Cas號： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528102400 HgPSe3晶體 大于25平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528102335 HgPSe3晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

HgPSe3

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓?fù)浣^緣體,紅外材料

Topological Insulators
禁帶寬度

Bangap

1.209 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

中

Medium
參考文獻(xiàn)

1，Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311.

2，Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151.