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貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
JD200528101552 | HfS3晶體 | -- | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
JD200528101451 | HfS3晶體 | -- | 大于10平方毫米 | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
性狀: | 材料名稱 Name HfS3 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓撲絕緣體,紅外材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 1.119 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
質(zhì)量標準: | 參考文獻 1,F(xiàn)uruseth, S. I. G. R. I. D., Leif Brattas, and Arne Kjekshus. "Crystal Structures of TiS 3, ZrS 3, ZrSe 3, ZrTe 3, HfS 3 and HfSe 3." Acta Chemica Scandinavica 29 (1975): 623. 2,Tao, You-Rong, et al. "Flexible ultraviolet–visible photodetector based on HfS3 nanobelt film." Journal of Alloys and Compounds 658 (2016): 6-11. 3,Steffensen, A. R. N. E. "On the properties of TiS3, ZrS3, and HfS3." Acta Chem. Scand 17.5 (1963). |