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GeTe晶體
別名： --
Cas號： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528101256 GeTe晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528101204 GeTe晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


GeTe

性質(zhì)分類

Electrical   properties

拓?fù)洳牧?，相變材?/P>


禁帶寬度

Bangap

0.5 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

Medium

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation
Medium
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)：

1，Nonaka, Toshihisa, et al. "Crystal structure of GeTe and Ge2Sb2Te5 meta-stable phase." Thin Solid Films 370.1-2 (2000): 258-261.

2，Wiedemeier, Heribert, Eugene A. Irene, and Asim K. Chaudhuri. "Crystal growth by vapor transport of GeSe, GeSe2, and GeTe and transport mechanism and morphology of GeTe." Journal of Crystal Growth 13 (1972): 393-396.

3，Seddon, T., J. M. Farley, and G. A. Saunders. "An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe SnTe alloy single crystals." Solid State Communications 17.1 (1975): 55-57.