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GeSb4Te7晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528101114 GeSb4Te7晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528100929 GeSb4Te7晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

GeSb4Te7

性質分類

Electrical   properties

拓撲絕緣體,紅外材料，相變材料，熱電材料

Topological Insulators

禁帶寬度

Bangap

0.269 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree   of difficulty for exfoliation


易

Easy
質量標準： 參考文獻

1，Park, Jun-Woo, et al. "Optical properties of pseudobinary GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5, GeSb 2 Te 4, GeSb 4 Te 7, and Sb 2 Te 3 from ellipsometry and density functional theory." Physical Review B 80.11 (2009): 115209.

2，F(xiàn)rumar, M., et al. "Some physical properties of semiconducting GeSb4Te7 crystals." physica status solidi (a) 22.2 (1974): 535-541.

3， Fang, Jie, et al. "Thickness dependence of a giant nonlinear saturable absorption response in GeSb4Te7 thin films." Journal of Physics Communications 2.1 (2018): 015009.