4007787550
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| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫存 |
| JD200528101114 | GeSb4Te7晶體 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200528100929 | GeSb4Te7晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | 材料名稱 Name GeSb4Te7 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓?fù)浣^緣體,紅外材料，相變材料，熱電材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0.269 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 參考文獻(xiàn) 1，Park, Jun-Woo, et al. "Optical properties of pseudobinary GeTe, Ge 2 Sb 2 Te 5, GeSb 2 Te 4, GeSb 4 Te 7, and Sb 2 Te 3 from ellipsometry and density functional theory." Physical Review B 80.11 (2009): 115209. 2，F(xiàn)rumar, M., et al. "Some physical properties of semiconducting GeSb4Te7 crystals." physica status solidi (a) 22.2 (1974): 535-541. 3， Fang, Jie, et al. "Thickness dependence of a giant nonlinear saturable absorption response in GeSb4Te7 thin films." Journal of Physics Communications 2.1 (2018): 015009. |
