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GeS 硫化鍺晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
JD200528100821 GeS 硫化鍺晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528100753 GeS 硫化鍺晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

GeS

性質(zhì)分類

Electrical   properties

拓?fù)洳牧?，紅外材料

禁帶寬度

Bangap

1.2   eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

晶體結(jié)構(gòu)

Crystal   Structure


剝離難易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

容易
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

1, Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).

2,Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).

3,Zhang, Shengli, et al. "Two-dimensional GeS with tunable electronic properties via external electric field and strain." Nanotechnology 27.27 (2016): 274001.