4007787550
|
 |
||||||||||||||
| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫存 |
| JD200528095927 | GaTe晶體 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200528095857 | GaTe晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | 晶體大?。?5~10 mm 晶體種類： Semiconductor，拓?fù)洳牧希t外材料，熱電材料 純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 禁帶寬度： 0.8eV 保存事項(xiàng) 注意表面防氧化 |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 參考文獻(xiàn) 1，Chitara, Basant, and Assaf Ya'akobovitz. "Elastic properties and breaking strengths of GaS, GaSe and GaTe nanosheets." Nanoscale 10.27 (2018): 13022-13027. 2，Antonius, Gabriel, and Steven G. Louie. "Optical properties of 2D monochalcogenides: single-layer GaSe and GaTe from first-principles calculations." Bulletin of the American Physical Society 62 (2017). 3，Bahuguna, Bhagwati Prasad, et al. "Hybrid functional calculations of electronic and thermoelectric properties of GaS, GaSe, and GaTe monolayers." Physical Chemistry Chemical Physics 20.45 (2018): 28575-28582. |
