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貨號(hào) | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫存 |
JD200528095429 | GaPS4晶體 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
JD200528095320 | GaPS4晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
性狀: | 材料名稱 Name
性質(zhì)分類 Electrical properties
Bangap 2.322 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Stable |
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn): | 參考文獻(xiàn) 1, Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868. |