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GaPS4晶體
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JD200528095429 GaPS4晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528095320 GaPS4晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀: 材料名稱

Name


GaPS4

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓?fù)洳牧?,半?dǎo)體


禁帶寬度

Bangap

2.322 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事項(xiàng)
Notice
晶體穩(wěn)定,不需要特殊保存

Stable

質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn): 參考文獻(xiàn)

1, Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868.