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GaGeTe晶體
別名： --
Cas號： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528095220 GaGeTe晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
JD200528095157 GaGeTe晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


GaGeTe

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓?fù)浣^緣體，半導(dǎo)體，紅外材料，熱電材料，

TI，Semiconductor，IR
禁帶寬度

Bangap

0.2 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項

Notice
晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)：

1， Drasar, C., et al. "Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe." Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46.

2， Wang, Weike, et al. "Ultrathin GaGeTe p-type transistors." Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504.

3，Kucek, Vladimir, et al. "Optical and transport properties of GaGeTe single crystals." Journal of crystal growth 380 (2013): 72-77.