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CuInS2晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528095053 CuInS2晶體 大于20平方毫米 5120元 咨詢客服 3天
JD200528095016 CuInS2晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name


CuInS2

性質(zhì)分類

Electrical   properties


拓撲材料，半金屬，紅外材料

Semiconductor
禁帶寬度

Bangap

0.05 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation

Medium

保存注意事項
Notice
晶體穩(wěn)定，但表面容易氧化

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻：

1,Kolny-Olesiak, Joanna, and Horst Weller. "Synthesis and application of colloidal CuInS2 semiconductor nanocrystals." ACS applied materials & interfaces 5.23 (2013): 12221-12237.

2,Look, David C., and Jose C. Manthuruthil. "Electron and hole conductivity in CuInS2." Journal of Physics and Chemistry of Solids 37.2 (1976): 173-180.