4007787550
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| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
| JD200528094226 | 大于10平方毫米 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200528094214 | Cu3SbS3晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | 材料名稱 Name
性質(zhì)分類 Electrical properties 拓撲絕緣體，紅外材料 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure cubic Degree of difficulty for exfoliation 不能剝離 Can not be exfoliated |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 參考文獻 Whitfield, Harold J. "Polymorphism in skinnerite, Cu3SbS3." Solid State Communications 33.7 (1980): 747-748. Tablero, C. "Electronic property analysis of O-doped Cu3SbS3." Solar energy materials and solar cells 104 (2012): 180-184. Maiello, Pietro, et al. "Investigations of ternary Cu3SbS3 thin films as absorber in photovoltaic devices." (2011): 65-69. |
