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AgInP2S6晶體
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分子式： -- 分子量： --
貨號 品名 規(guī)格 包裝 單價 貨期 庫存
JD200528091514 AgInP2S6晶體 大于20平方毫米 5120元 咨詢客服 3天
JD200528091438 AgInP2S6晶體 大于10平方毫米 -- 3120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

AgInP2S6

性質(zhì)分類

Electrical   properties


半導(dǎo)體，非線性材料，鐵電材料

Semiconductor，Nonlinear Material，F(xiàn)erroelectrics Material

禁帶寬度

Bangap

1.147 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 材料性質(zhì)參考文獻(xiàn)：

1,   https://doi.org/10.1039/C7RA13519J

Structural, electronic, vibration and elasticproperties of the layered AgInP2S6 semiconductingcrystal – DFT approach

2,   https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4962956

Second-harmonic generation in quaternary atomically thin layered AgInP2S6 crystals