制備方法
MoS2量子點(diǎn)由鋰插層方法制備,制備后期離心去除大片徑二硫化鉬,量子點(diǎn)為主要成分,可能殘留部分納米片。插層法制備的量子點(diǎn)不發(fā)光,但是因?yàn)榫哂写罅康娜毕莺捅缺砻娣e,是電化學(xué)應(yīng)用的理想材料。
應(yīng)用領(lǐng)域
傳感檢測(cè)、光電器件、醫(yī)藥領(lǐng)域、潤(rùn)滑添加劑等。