參數(shù)
基底：二氧化硅
基底尺寸：10 mmx10 mm
MoSe2 面積：>10 μm2
應(yīng)用該類材料具有缺陷少，優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)，可以研究層數(shù)和熒光效應(yīng)，此外，由于保持了原有晶格結(jié)構(gòu)，所以該類材料是制備器件的理想材料。
