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CVD二氧化硅基底單層二硫化鎢
Single Layer WS2 on SiO2
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JD190703154307 CVD二氧化硅基底單層二硫化鎢 -- 1盒 11880元 咨詢客服 3天
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質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn): 形態(tài):薄膜

參數(shù)

基底:二氧化硅

基底尺寸:9 mmx9 mm

WS2片徑大小:20-50 μm

厚度:0.6~0.8 nm

 

應(yīng)用

該類材料缺陷少,光學(xué)性質(zhì)優(yōu)良,層數(shù)可控,是研究層數(shù)和熒光效應(yīng)和制備器件的優(yōu)異材料。